一、报告题目：石墨烯纳米带的制备及电学性能研究
二、报告人：孙海斌 教授
三、时 间：2024年10月23日（周三）上午10:30-12:00
四、线上会议链接：腾讯会议：613-362-924，会议密码：1234
报告摘要：石墨烯纳米带(GNRs)被认为是下一代电子材料中最有前途的材料之一，但目前还缺乏一种可靠、可控的合成方法。本文报道了GNRs在铜表面的CVD生长及其相应的生长机理。实时的视觉和空间分辨观察证实，石墨烯的VSS生长可以被抑制，并导致铜表面形成GNR或GNS。综合场效应晶体管(FET)器件的电子特性测量表明，GNRs和GNSs具有高达约2000 cm-2 V-1 s的高载流子迁移率。FET和开尔文探针力显微镜(KPFM)的测量都证实了合成GNSs的费米能级从粗部分向下移动到尖端或窄部分的强p型掺杂作用。这些发现揭示了石墨烯生长机制的关键，并为实现一种简易和可扩展的方法合成独立的GNRs和GNSs及其应用(如费米级可调谐器件)打开了一扇门。
报告人简介：孙海斌，教授，博士生导师，博士毕业于南京大学物理学院。主要从事低维纳米材料的物理性质研究。主持完成国家自然科学基金面上项目2项，省自然科学基金面上项目、省高校科技创新团队项目、省留学生择优资助项目、省科技攻关项目等各1项。获得省高等学校青年骨干教师、省教育厅学术技术带头人、市拔尖人才等荣誉称号。在国内外重要期刊 Adv. Mater., Adv. Funct. Mater., Mater. Today, Appl. Phys. Lett.等发表高水平论文20余篇，授权国家发明专利4项。
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